销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16403Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1825
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17310Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@15V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17310Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@15V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17310Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@15V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@12.5V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17305Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:18.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@30A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17310Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@15V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17310Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1560pF@15V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@20A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":5572}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@12.5V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17553Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3252pF@15V
连续漏极电流:23.5A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17553Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3252pF@15V
连续漏极电流:23.5A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16321Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:19nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16325Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@12.5V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:3.1W
阈值电压:2.4V@250μA
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.6mΩ@10V,17A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16401Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@12.5V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@40A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16322Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1365pF@12.5V
连续漏极电流:21A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16413Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@12.5V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@24A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16407Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2660pF@12.5V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: