采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ960EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA120N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1562pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@35V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.8A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA120N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1562pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@12A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ992EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：446pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：56.2mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA15N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ956EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1395pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26.7mΩ@5.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ992EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：446pF@30V
连续漏极电流：15A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：56.2mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB40EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ504EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V€4600pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ956EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1395pF@30V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26.7mΩ@5.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ980AEP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@35V
连续漏极电流：17A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@3.8A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
