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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M51GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K52GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：170mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：41.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS62934
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H010LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：11.5A€29.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3442
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H025SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1544pF@50V
连续漏极电流：7.4A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7942DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M51GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
