采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：342000，"11+"：230970，"14+"：243000，"15+"：198000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2412-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSN-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4740，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS060P05HZGTB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH6353-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@6V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3420
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSNQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416A
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO220N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LSNQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
