品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCE3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCE3400-ES
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400A
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3400
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.7nC
输入电容:550pF
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:48pF
导通电阻:19mΩ@10V,6.0A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSN-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3033LSNQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: