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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5434，"23+"：3295，"24+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
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栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
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导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
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功率：2.5W€60W
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栅极电荷：24nC@10V
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连续漏极电流：12A€59A
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导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
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生产批次：{"21+"：5434，"23+"：3295，"24+"：5000}
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
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阈值电压：2.3V@28µA
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栅极电荷：24nC@10V
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输入电容：1600pF@50V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
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功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5434，"23+"：3295，"24+"：5000}
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
连续漏极电流：12A€59A
输入电容：1600pF@50V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：2.3V@28µA
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
功率：2.5W€60W
漏源电压：100V
栅极电荷：24nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.6nF@50V
连续漏极电流：59A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：2.3V@28μA
类型：1个N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
输入电容：1.6nF@50V
连续漏极电流：59A€12A
功率：2.5W€60W
漏源电压：100V
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0804NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€60W
阈值电压：2.3V@28µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：12A€59A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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