品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):HUF76423P3
功率:85W(Tc)
栅极电荷:34 nC @ 10 V
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
类型:N 通道
包装方式:管件
ECCN:EAR99
输入电容:1060 pF @ 25 V
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
连续漏极电流:35A(Tc)
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:110W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:46 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480 pF @ 25 V
连续漏极电流:47A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:22 毫欧 @ 47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2322
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76423P3
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:85W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1060 pF @ 25 V
连续漏极电流:35A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5240}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
阈值电压:3V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660 pF @ 30 V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5612
输入电容:660 pF @ 30 V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:11 nC @ 10 V
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:3.8W(Ta),42W(Tc)
导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V
连续漏极电流:5.4A(Ta)
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
阈值电压:3V @ 250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: