采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5612
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.8W（Ta），42W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660 pF @ 30 V
连续漏极电流：5.4A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76423P3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：85W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：1060 pF @ 25 V
连续漏极电流：35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76423P3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：85W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：1060 pF @ 25 V
连续漏极电流：35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：45W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：44 nC @ 10 V
输入电容：2086 pF @ 30 V
连续漏极电流：32A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：49mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：300 nC @ 10 V
输入电容：8970 pF @ 50 V
连续漏极电流：195A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.5 毫欧 @ 170A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76423P3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：85W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：1060 pF @ 25 V
连续漏极电流：35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：231W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：151 nC @ 10 V
输入电容：9815 pF @ 25 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.2 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：231W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：151 nC @ 10 V
输入电容：9815 pF @ 25 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.2 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：18 nC @ 10 V
输入电容：400 pF @ 25 V
连续漏极电流：20A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：70 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：150W（Tc）
阈值电压：3.5V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6600 pF @ 25 V
连续漏极电流：100A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.9 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP020N06NAKSA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3W（Ta），214W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 143µA
栅极电荷：106 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：7800 pF @ 30 V
连续漏极电流：29A（Ta），120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP020N06NAKSA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3W（Ta），214W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 143µA
栅极电荷：106 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：7800 pF @ 30 V
连续漏极电流：29A（Ta），120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 34µA
栅极电荷：29 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900 pF @ 30 V
连续漏极电流：50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.9 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA170N06
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：290 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：9350 pF @ 25 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：5.6 毫欧 @ 85A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：188W（Tc）
阈值电压：4V @ 140µA
栅极电荷：195 nC @ 10 V
输入电容：15750 pF @ 25 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.8 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76423P3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：85W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：1060 pF @ 25 V
连续漏极电流：35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
