品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3669S
阈值电压:2.7V @ 250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:10 毫欧 @ 13A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
类型:2 N 沟道(双)非对称型
连续漏极电流:13A,18A
栅极电荷:24nC @ 10V
输入电容:1605pF @ 15V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
阈值电压:2.7V @ 250µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:14.5 nC @ 10 V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流:60A(Tc)
漏源电压:60V
类型:N 通道
功率:66W(Tc)
输入电容:1150 pF @ 30 V
导通电阻:9.9 毫欧 @ 12A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: