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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.6W(Ta),3.3W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:45 nC @ 8 V

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:38 毫欧 @ 5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订数1377000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG1013T-7 起订数1377000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:270mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:0.622 nC @ 4.5 V

    输入电容:59.76 pF @ 16 V

    连续漏极电流:460mA(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:700 毫欧 @ 350mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ197PZ 起订1457个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ197PZ 起订1457个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ197PZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:25 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:750mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 4.5 V

    输入电容:1020 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.7A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:39 毫欧 @ 4.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ197PZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ197PZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ197PZ

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.9W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:25 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570 pF @ 10 V

    连续漏极电流:3.8A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:64 毫欧 @ 2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJS3A18PZTXG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:700mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:28 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2240 pF @ 15 V

    连续漏极电流:5A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:18 毫欧 @ 7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493DDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:30 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1825 pF @ 10 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:24 毫欧 @ 7.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1084个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A40PZTAG 起订1084个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A40PZTAG

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:700mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600 pF @ 15 V

    连续漏极电流:4A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:29 毫欧 @ 6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.4W(Ta),17.9W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:45 nC @ 8 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    连续漏极电流:12A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:33 毫欧 @ 5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.1W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:22 nC @ 4.5 V

    输入电容:1490 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3433CDV-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.6W(Ta),3.3W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:45 nC @ 8 V

    输入电容:1300 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:38 毫欧 @ 5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.5W(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:24 nC @ 8 V

    输入电容:860 pF @ 10 V

    连续漏极电流:8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:27 毫欧 @ 5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2088DE6TA 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN2088DE6TA 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:3.8nC @ 4.5V

    输入电容:279pF @ 10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:200 毫欧 @ 1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7913DN-T1-GE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.1W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT-F130 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT-F130

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:900mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310 pF @ 10 V

    连续漏极电流:9.5A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:23 毫欧 @ 9.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.1W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME510PZT

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.1W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数15000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数15000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.1W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:40 毫欧 @ 4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.1W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:22 nC @ 4.5 V

    输入电容:1490 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT 起订数2000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:600mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:7.7nC @ 4.5V

    输入电容:405pF @ 10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:142 毫欧 @ 2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订数2000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDME510PZT 起订数2000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.1W(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:22 nC @ 4.5 V

    输入电容:1490 pF @ 10 V

    连续漏极电流:6A(Ta)

    类型:P 通道

    导通电阻:37 毫欧 @ 6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6926ADQ-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:830mW

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:10.5nC @ 4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7913DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:1.3W

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:24nC @ 4.5V

    连续漏极电流:5A

    类型:2 个 P 沟道(双)

    导通电阻:37 毫欧 @ 7.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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