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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta），3.3W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 8 V
输入电容：1300 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：38 毫欧 @ 5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.6W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825 pF @ 10 V
连续漏极电流：8A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：24 毫欧 @ 7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA461DJ-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.4W（Ta），17.9W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 8 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300 pF @ 10 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：33 毫欧 @ 5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta），3.3W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：45 nC @ 8 V
输入电容：1300 pF @ 10 V
连续漏极电流：6A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：38 毫欧 @ 5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），3.5W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24 nC @ 8 V
输入电容：860 pF @ 10 V
连续漏极电流：8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：27 毫欧 @ 5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.25W（Ta），2.5W（Tc）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：25 nC @ 4.5 V
输入电容：1090 pF @ 10 V
连续漏极电流：4.6A（Ta），6A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：830mW
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：10.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.1A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：30 毫欧 @ 4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：24nC @ 4.5V
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.1W
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7913DN-T1-GE3
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.3W
阈值电压：1V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC @ 4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：2 个 P 沟道（双）
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：7.5nC @ 4.5V
功率：1.1W
漏源电压：20V
连续漏极电流：4.4A
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：40 毫欧 @ 4.4A，4.5V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
导通电阻：37 毫欧 @ 7.4A，4.5V
阈值电压：1V @ 250µA
连续漏极电流：5A
漏源电压：20V
类型：2 个 P 沟道（双）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：24nC @ 4.5V
功率：1.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
