品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":455050}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD23201W10
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:1V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4 nC @ 4.5 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325 pF @ 6 V
连续漏极电流:2.2A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:82 毫欧 @ 500mA,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:14 nC @ 10 V
输入电容:260 pF @ 25 V
连续漏极电流:800mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:800 毫欧 @ 480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:4V @ 2mA
输入电容:150 pF @ 25 V
连续漏极电流:160mA(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:20 欧姆 @ 100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:14 nC @ 10 V
输入电容:260 pF @ 25 V
连续漏极电流:800mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:800 毫欧 @ 480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:14 nC @ 10 V
输入电容:260 pF @ 25 V
连续漏极电流:800mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:800 毫欧 @ 480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:14 nC @ 10 V
输入电容:260 pF @ 25 V
连续漏极电流:800mA(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:800 毫欧 @ 480mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:1W(Ta)
阈值电压:4V @ 2mA
输入电容:150 pF @ 25 V
连续漏极电流:160mA(Tj)
类型:N 通道
导通电阻:20 欧姆 @ 100mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: