品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4858NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€54.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1563pF@12V
连续漏极电流:11.2A€73A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€188W
阈值电压:2V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@12.5V
连续漏极电流:40A€479A
类型:N沟道
导通电阻:0.45mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1099pF@12V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":44600,"07+":75,"08+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4865NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€33.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@12V
连续漏极电流:8.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":19425}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD60N02R-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.25W€58W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1330pF@20V
连续漏极电流:8.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2432pF@12.5V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1099pF@12V
连续漏极电流:73A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3855,"05+":168260,"06+":527497,"08+":7445,"09+":75000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03RT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":20,"06+":2175,"9999":140,"MI+":2206}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03R-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4860NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1308pF@12V
连续漏极电流:10.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€188W
阈值电压:2V@10mA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@12.5V
连续漏极电流:40A€479A
类型:N沟道
导通电阻:0.45mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2925}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4855N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.35W€66.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.7nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2950pF@12V
连续漏极电流:14A€98A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":72}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHD108NQ03LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1375pF@12V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":379064,"07+":16200,"08+":2662,"09+":4200}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD78N03-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€64W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2250pF@12V
连续漏极电流:11.4A€78A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@78A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":4950}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4854N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€93.75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4600pF@12V
连续漏极电流:15.7A€128A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD03N03LA G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR8256TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:63W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@13V
连续漏极电流:81A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:60.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4327pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2550}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4856N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.33W€60W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2241pF@12V
连续漏极电流:13.3A€89A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3540}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD40N03R-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.78nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:584pF@20V
连续漏极电流:7.8A€32A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5000,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHD97NQ03LT,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1570pF@12V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":2250}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD65N03R
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€50W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:9.5A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":355000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4863NAT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€36.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@12V
连续漏极电流:9.2A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":8591}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD70N03RG
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.2nC@5V
包装方式:管件
输入电容:1333pF@20V
连续漏极电流:10A€32A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1500,"10+":45825,"11+":195900}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4863N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€36.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.5nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@12V
连续漏极电流:9.2A€49A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€188W
阈值电压:2V@10mA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@12.5V
连续漏极电流:40A€479A
类型:N沟道
导通电阻:0.45mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: