品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:60.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4327pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3415pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:60.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4327pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5287pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:71.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5308pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.89mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4327pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2542pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5287pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4327pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5287pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:272W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6775pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2542pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5287pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:34.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2485pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.09mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5287pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:179W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4173pF@12V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: