采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.45V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76429S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4C075033K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：37.8nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@30A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7628-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ848EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ848EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB47NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：166W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.45V@1mA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76429S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@47A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：665，"24+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ848EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@20V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@10.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
