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    ECCN: EAR99
    阈值电压: 3V@250µA
    当前匹配商品:1300+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SFGQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SFGQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:6.1A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4213}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8444L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:153W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@25V

    连续漏极电流:16A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI4435DY 起订2500个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI4435DY 起订2500个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DY

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1604pF@15V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5116PLWFTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€21W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订1158个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":55,"06+":1394,"07+":5579,"08+":632817,"11+":2190,"14+":5000,"16+":4400,"17+":900,"MI+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS9435A 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS9435A 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6294 起订962个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6294

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@5V

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.3mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6250S-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6250S-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:920mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:512pF@30V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4132 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4132

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:76nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4400pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86570LET60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4790pF@30V

    连续漏极电流:18A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9411L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2615pF@30V

    连续漏极电流:13.1A€47.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570LET60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86570LET60

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4790pF@30V

    连续漏极电流:18A€87A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:118W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3515pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1411个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9435A 起订1411个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":42200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9435A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD78N03-35G 起订1394个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD78N03-35G 起订1394个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":379064,"07+":16200,"08+":2662,"09+":4200}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD78N03-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€64W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@12V

    连续漏极电流:11.4A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@78A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1404STRLPBF 起订241个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1404STRLPBF 起订241个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2400,"24+":0,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL1404STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@95A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR3105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR3105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:57W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:710pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI4435DY 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 SI4435DY 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435DY

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1604pF@15V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:16.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5875NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4763pF@20V

    连续漏极电流:69A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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