采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1527}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：2.8W€36W
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
栅极电荷：9.4nC@5V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：660pF@15V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1527}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6612A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：9.5A€30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
