采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2500，"22+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA060N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：3.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@56A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9196}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7608-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18195，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，6V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2500，"22+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA060N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：3.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@56A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：18195，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：144W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1635pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@21A，6V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：15000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7508-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2500，"22+"：500}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA060N06NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：3.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@56A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M6R0-40HX
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9196}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7608-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：9196}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7608-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：157W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2689pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：140945}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3672
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：6.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB090N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
