采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD600N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@12V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@12V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6415AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD600N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@12V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD600N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6005，"MI+"：5281}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6005，"MI+"：5281}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP320N20N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：358334，"24+"：7820}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L4R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L4R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L4R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S5L4R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：9.9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC100N04S6N028ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：3V@24µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1781pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.86mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4020PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD600N25N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：10.9A€62A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD320N20N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2350pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@34A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：61W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1760pF@12V
连续漏极电流：91A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
