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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C674NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C680NLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C680NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€19W

    阈值电压:2.2V@13µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:7.5A€26A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C672NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€45W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:793pF@25V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.9mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€89W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:24A€127A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5875NLT1G 起订694个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5875NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:33mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NT1G 起订414个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NT1G 起订414个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C466NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€38W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:14A€49A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订386个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订386个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":10500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订214个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C668NLT1G 起订214个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":79500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C668NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€57.5W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@25V

    连续漏极电流:15.5A€68A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€89W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:24A€127A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H846NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H846NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H846NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@21µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@40V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H846NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H846NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H846NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@21µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@40V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€89W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:24A€127A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3890 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3890

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:44mΩ@4.7A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H840NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H840NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@96µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2002pF@40V

    连续漏极电流:14A€74A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C674NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37W

    阈值电压:2.2V@25µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:11A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:14.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@25V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W

    阈值电压:2.2V@90µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:25A€145A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.65mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€89W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:24A€127A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C650NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@98µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2546pF@25V

    连续漏极电流:21A€111A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFD5C446NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFD5C446NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.2V@90µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:25A€145A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.65mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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