首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD2922 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD2922 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD2922

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€17W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@50V

    连续漏极电流:3.5A€7A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOI4286 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AOI4286 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOI4286

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@50V

    连续漏极电流:4A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€37W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:15A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H852NLT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H852NLT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€38W

    阈值电压:2V@26µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:521pF@40V

    连续漏极电流:7A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:617pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB147N03LGATMA1 起订1137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:617pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€37W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:15A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C466NWFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W€37W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:625pF@25V

    连续漏极电流:15A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD135N03LGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR120ZTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@5.2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:617pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2325ES-T1_GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2325ES-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:840mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.77Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7Y21-40EX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:617pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD444 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD444

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€20W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:4A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB50ENEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB50ENEX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:271pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD14N06S280ATMA2 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD14N06S280ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:293pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@7A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H852NLT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD6H852NLT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD6H852NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€38W

    阈值电压:2V@26µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:521pF@40V

    连续漏极电流:7A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧