品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:617pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
导通电阻:21mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:617pF@25V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y21-40EX
导通电阻:21mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:617pF@25V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NWFT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:15A€49A
类型:N沟道
功率:3.5W€37W
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:10nC@10V
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS8D0N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€38W
阈值电压:3.5V@30µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:16A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: