品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1135pF@20V
连续漏极电流:9A€39A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":817,"23+":14388,"24+":18556}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1071pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€60W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1083pF@20V
连续漏极电流:79A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4902}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€39.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:9A€37A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:2.2V@15µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1071pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K18-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1061pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€38W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:14A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S408AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2940pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:805pF@20V
连续漏极电流:11.1A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1850,"22+":3280,"23+":75809,"24+":12479}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S409AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:4V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1071pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":70128,"24+":13849,"MI+":10955}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:2.2V@22µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3050pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:8.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ940EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:896pF@20V
连续漏极电流:15A€18A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€89W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:24A€127A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.9mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2304,"23+":5203}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@8µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1071pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: