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    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.3mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订940个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订940个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":817,"23+":14388,"24+":18556}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1071pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S408ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S408ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1083pF@20V

    连续漏极电流:79A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订588个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订588个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4902}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€89W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:24A€127A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4848P-AU_R2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4848P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€39.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:9A€37A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L11ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L11ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L11ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:41W

    阈值电压:2.2V@15µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1071pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K18-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1061pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NT1G 起订414个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NT1G 起订414个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":10500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C466NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€38W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:14A€49A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S408AATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S408AATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S408AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S409AATMA1 起订660个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S409AATMA1 起订660个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1850,"22+":3280,"23+":75809,"24+":12479}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S409AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.3mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1071pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJB42EP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJB42EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订638个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订638个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":70128,"24+":13849,"MI+":10955}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ940EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ940EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ940EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W€43W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:896pF@20V

    连续漏极电流:15A€18A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€89W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:24A€127A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L07AATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L07AATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2304,"23+":5203}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L07AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3980pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1071pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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