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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：668pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N06D52
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1326pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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