采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：4V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@40V
连续漏极电流：4.7A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：323}
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
栅极电荷：111nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：210A
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
功率：3.5W€300W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
类型：N沟道
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
导通电阻：94mΩ@6A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
功率：1.5W€48W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0150N80
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12800pF@25V
功率：429W
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：1.4mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@280µA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：12300pF@15V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：59A€409A
功率：4W€187W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C612NLT1G-UIL5
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6660pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：36A€235A
导通电阻：1.5mΩ@50A，10V
ECCN：EAR99
功率：3.8W€167W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"03+"：1445，"04+"：1534，"05+"：44100，"06+"：30270，"07+"：230625，"08+"：139，"10+"：3000，"9999"：4900，"MI+"：11653}
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：NTD60N02R-1G
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：14nC@4.5V
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：8.5A€32A
功率：1.25W€58W
包装方式：管件
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75545S3ST
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：235nC@20V
导通电阻：10mΩ@75A，10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
功率：270W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：3750pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：860}
销售单位：个
包装规格(MPQ)：489psc
规格型号(MPN)：FQPF19N10
导通电阻：100mΩ@6.8A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：25nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：13.6A
功率：38W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP060AN08A0
漏源电压：75V
导通电阻：6mΩ@80A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：16A€80A
输入电容：5150pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
ECCN：EAR99
功率：255W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
功率：395W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
阈值电压：4.3V@15.5mA
类型：N沟道
栅极电荷：164nC@18V
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
ECCN：EAR99
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
连续漏极电流：106A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NTBGS4D1N15MC
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：88.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7285pF@75V
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：150V
连续漏极电流：20A€185A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS4D0N15MC
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：19A€187A
输入电容：7490pF@75V
栅极电荷：90.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
ECCN：EAR99
漏源电压：150V
导通电阻：4.4mΩ@80A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
输入电容：1290pF@50V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：14mΩ@9A，10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A€43A
栅极电荷：22nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS1D15N03CGT1G
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@15V
漏源电压：30V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@160µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：94nC@10V
连续漏极电流：43A€245A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
功率：3.8W€124W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"23+"：683}
规格型号(MPN)：NVBLS0D5N04CTXG
阈值电压：4V@475µA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
连续漏极电流：65A€300A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：185nC@10V
输入电容：12600pF@25V
功率：4.3W€198.4W
ECCN：EAR99
导通电阻：0.57mΩ@50A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB13AN06A0
输入电容：1350pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：13.5mΩ@62A，10V
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：115W
连续漏极电流：10.9A€62A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9409-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：2900，"20+"：619，"22+"：1707，"23+"：2291}
规格型号(MPN)：NVMFSC0D9N04CL
功率：4.1W€166W
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：50A€316A
漏源电压：40V
类型：N沟道
导通电阻：0.87mΩ@50A，10V
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：6100pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：590，"08+"：3075}
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
功率：1.28W€50W
连续漏极电流：9A€54A
导通电阻：10mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1225pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@25V
阈值电压：2V@180µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：3.9W€134W
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：31A€185A
栅极电荷：69nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C680NLWFT1G
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：8.1A€21A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：330pF@25V
阈值电压：2.2V@13µA
导通电阻：27.5mΩ@7.5A，10V
ECCN：EAR99
功率：3.4W€24W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：3908，"09+"：10547}
规格型号(MPN)：NTD4813NH-35G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：13mΩ@30A，10V
输入电容：940pF@12V
包装方式：管件
连续漏极电流：7.6A€40A
栅极电荷：10nC@4.5V
ECCN：EAR99
功率：1.27W€35.3W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDP053N08B-F102
阈值电压：4.5V@250µA
输入电容：5960pF@40V
导通电阻：5.3mΩ@75A，10V
类型：N沟道
漏源电压：80V
连续漏极电流：75A
栅极电荷：85nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
功率：146W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NT1G
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：25nC@10V
连续漏极电流：15A€74A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@95µA
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
功率：3.7W€89W
ECCN：EAR99
输入电容：1640pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H880NLWFTAG
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
输入电容：431pF@40V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€33W
ECCN：EAR99
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
输入电容：4300pF@25V
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：41A€235A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C670NLWFAFT1G
功率：61W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
阈值电压：2V@53µA
类型：N沟道
连续漏极电流：17A€71A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：6.1mΩ@35A，10V
栅极电荷：20nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：HUF75842P3
连续漏极电流：43A
功率：230W
栅极电荷：175nC@20V
类型：N沟道
输入电容：2730pF@25V
导通电阻：42mΩ@43A，10V
漏源电压：150V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
