品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@25V
连续漏极电流:8.2A€32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
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输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@25V
连续漏极电流:8.2A€32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@25V
连续漏极电流:8.2A€32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1143pF@25V
连续漏极电流:8.2A€32A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:840mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:840mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6022SSD-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2127pF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1912EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:280mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:850mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@400mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: