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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6022SSD-13
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6021SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：8.2A€32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6022SSD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6021SPDQ-13
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：8.2A€32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
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功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6021SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
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ECCN：EAR99
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输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：8.2A€32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6021SPDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：8.2A€32A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
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功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMNH6022SSDQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：840mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6022SSD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922EEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：840mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6022SSD-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2127pF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1912EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：280mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1922AEEH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：300mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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