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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6424
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：310pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV37EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1411DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：420mA
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"23+"：40000，"MI+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA485DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：15.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@75V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：2.6Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：335pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：228mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV45EN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：209pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@4.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
