品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2205
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC608PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@5.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":641,"16+":129500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4503NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@16V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2205
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7469TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB33XP,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:P沟道
导通电阻:37mΩ@5.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30XPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:550mW€6.25W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1575pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):369psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17303Q5
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:3420pF@15V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: