品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":56140}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3113PTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1329pF@16V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":354,"22+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTCG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":30000,"22+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTBG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2301ACX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:4.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS3A18PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVTQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":25707}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS3A18PZTXG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:4.6A€3.2A
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2053UVT-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:369pF@10V
连续漏极电流:4.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: