采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2021UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5468，"21+"：66398}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTND31015NZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12.3pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8851EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@10V
连续漏极电流：7.7A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8812DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2323DDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：4.1A€5.3A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1427EDH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W€2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：64mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104V-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2.1A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3415UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：294pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：42.5mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2053UVT-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流：4.6A€3.2A
类型：N和P沟道互补型
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7615CDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：63nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3860pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：6.04A
类型：2P沟道（双）共漏
导通电阻：35mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1024UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：1.38A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：450mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2B14FHTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：872pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD75301W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR3C21NZT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1540pF@16V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5935CDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA1024NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：54mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4403DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：99nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@10V
连续漏极电流：15.4A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS407ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€39.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：168nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3433CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€3.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS903DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2565pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：20.1mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：850mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：750mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：7.9A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP22D4UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：28.7pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1.9Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1012T-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：280mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.74nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60.67pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D5UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：460mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46.1pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：P沟道
导通电阻：970mΩ@100mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2008UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€41W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：72nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6909pF@10V
连续漏极电流：14A€54A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
