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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
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功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
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功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM2537CQ RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：677pF@10V€744pF@10V
连续漏极电流：11.6A€9A
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
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类型：N和P沟道
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