品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
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功率:2.8W€62.5W
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNJTL
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):R6015KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
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功率:2.8W€62.5W
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连续漏极电流:17.3A€82A
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导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):R6015KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
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漏源电压:60V
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:37.5nC@10V
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连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
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功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
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功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):R6015KNJTL
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1050pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
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工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:2.8W€62.5W
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导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
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功率:2.8W€62.5W
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导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
栅极电荷:37.5nC@10V
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工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
栅极电荷:37.5nC@10V
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包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
栅极电荷:37.5nC@10V
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:17.3A€82A
漏源电压:60V
功率:2.8W€62.5W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015KNJTL
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
功率:184W
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
阈值电压:5V@1mA
输入电容:1050pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT67M8LPSW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@30V
连续漏极电流:17.3A€82A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: