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    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1L-13 起订80个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1L-13 起订80个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002K-7 起订114个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002K-7 起订114个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订5个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ030N08HZGTR 起订5个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ030N08HZGTR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:550pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8008LFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8008LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W€23.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2254pF@40V

    连续漏极电流:16A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DMK-7 起订19个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601DMK-7 起订19个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN601DMK-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:510mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JA2TCR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JA2TCR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JA2TCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4898NFT3G 起订553个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4898NFT3G 起订553个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":4825,"MI+":846}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4898NFT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW€73.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3233pF@12V

    连续漏极电流:13.2A€117A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP 起订11个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KT-TP 起订11个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LW-13 起订83个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LW-13 起订83个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订33个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LV-7 起订33个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4618DY-T1-E3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4618DY-T1-E3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:16+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4618DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.98W€4.16W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1535pF@15V

    连续漏极电流:8A€15.2A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:17mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002KQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7660S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4325pF@15V

    连续漏极电流:20A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 VN10LFTA 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN10LFTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E180BNTB 起订6个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E180BNTB 起订6个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E180BNTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    Microchip Mosfet场效应管 VN2222LL-G 起订5个装
    Microchip Mosfet场效应管 VN2222LL-G 起订5个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):VN2222LL-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€1W

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:

    输入电容:60pF@25V

    连续漏极电流:230mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E180BNTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E180BNTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E180BNTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:37nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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