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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ030N08HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ030N08HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
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漏源电压：45V
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
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输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：8.8nC@5V
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输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
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输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
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导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@5V
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输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@5V
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输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
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输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
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规格型号(MPN)：RSQ030N08HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：6.5nC@5V
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连续漏极电流：3A
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漏源电压：80V
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@5V
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输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ030N08HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：950mW
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栅极电荷：6.5nC@5V
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输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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功率：950mW
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栅极电荷：8.8nC@5V
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输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
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漏源电压：45V
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阈值电压：2.5V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
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功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RSQ030N08HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：131mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@5V
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输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RVQ040N05HZGTR
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：8.8nC@5V
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输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
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功率：950mW
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栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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