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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3604S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3604S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€23A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT560ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:112pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:715mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB215ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€15.6W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@40V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3660S 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3660S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1765pF@15V

    连续漏极电流:30A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3Q-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3Q-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV120ENEAR 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV120ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:513mW€6.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@30V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:123mΩ@2.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订26个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订26个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV280ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:580mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6180SK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6180SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:17.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:984.7pF@30V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3105pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT560ENEAX 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT560ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:112pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:715mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订67个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订67个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV450ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:323mW€554mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:101pF@30V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB360ENEAZ 起订14个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB360ENEAZ 起订14个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB360ENEAZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€6.25W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@40V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIJ482DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€69.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:71nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2425pF@40V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订532个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3606S 起订532个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3606S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@15V

    连续漏极电流:13A€27A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:8mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT280ENEAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMT280ENEAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMT280ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@50V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB85ENEAX 起订3347个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB85ENEAX 起订3347个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":180000,"22+":186000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB85ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€15.6W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:305pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:95mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSS62934 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSS62934 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSS62934

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7650DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:206nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14765pF@15V

    连续漏极电流:47A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@36A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3669S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3669S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13A€18A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:10mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3AT 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:12A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订12000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV280ENEAR 起订12000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV280ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:580mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:385mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB215ENEAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB215ENEAX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€15.6W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:7.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@40V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV230ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV230ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW€1.45W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7650DC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7650DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:206nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14765pF@15V

    连续漏极电流:47A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@36A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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