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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A04DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.81W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@12.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA3023PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：90mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJF4156NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：710mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D9UFZ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.5pF@15V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5UFZ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：393mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.2pF@15V
连续漏极电流：220mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7509TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.7A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：110mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316GTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC31D5UDJ-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22.6pF@15V
连续漏极电流：220mA€200mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7606TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7313TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：29mΩ@5.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN3A01ZTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：970mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：186pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3300U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7303TRPBFXTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个N沟道
导通电阻：50mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3552DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：105mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN337N
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：0609
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT439N
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@6.3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6954ADQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：53mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A16N8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1022pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM61P03FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：350mΩ@600mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHS5402T1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A13FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：206pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：210mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
