品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ5E030AJTCL
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:240pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):917psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6612A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@5V
包装方式:散装
输入电容:560pF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3021LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:767pF@10V
连续漏极电流:8.5A€7A
类型:N和P沟道
导通电阻:21mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4103DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:14A€16A
类型:P沟道
导通电阻:7.9mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMZ370UNEYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW€2.7W
阈值电压:1.05V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.16nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:78pF@25V
连续漏极电流:900mA
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:12A€39A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4435
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9952TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@15V
连续漏极电流:3.5A€2.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:100mΩ@2.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSH103,235
工作温度:-55℃~150℃
功率:540mW
阈值电压:400mV@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@24V
连续漏极电流:850mA
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.8A€8.2A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2306CX RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISF00DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3110S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305.8pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:73mΩ@3.1mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR392DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9530pF@15V
连续漏极电流:82A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.62mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.5A€1.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:77mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":50000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@15V
连续漏极电流:12A€39A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX3020NAKVYL
工作温度:-55℃~150℃
功率:260mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC10DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1873pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM8568CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流:15A€13A
类型:N和P沟道
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3028LPSQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1372pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17581Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:1.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:24A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHS9351TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.4V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:170mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: