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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A€62A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：392，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A€62A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4830pF@15V
连续漏极电流：20A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4825DDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2550pF@15V
连续漏极电流：14.9A
类型：P沟道
导通电阻：12.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A€62A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A€62A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@10V
连续漏极电流：17.6A€62A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
