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    漏源电压: 30V
    功率: 800mW
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订922个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3401LSNQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订556个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSNQ-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3401LSNQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHS4166NT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHS4166NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS7N03R2G 起订521个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS7N03R2G 起订521个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4150,"21+":4045}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS7N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@25V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7208S 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7208S 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7208S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@15V

    连续漏极电流:12A€16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6602-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MCH6602-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":27200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCH6602-TL-E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.7Ω@80mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165LQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSN-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3401LSN-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3401LSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4801NR2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":284431,"11+":2622,"12+":12500,"16+":144}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4801NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2201pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7208S 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7208S 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7208S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1130pF@15V

    连续漏极电流:12A€16A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3069L-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3069L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:309pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3165L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3165L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.6nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:1320pF@15V

    连续漏极电流:14.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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