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    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP 起订55个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP 起订55个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3402-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ1000UN,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订26个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订26个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:5.06nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:409pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订146个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订146个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7400 起订30000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7400 起订30000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7400

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.82nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订7937个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订7937个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":40708,"17+":190000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ1000UN,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ1000UN,315 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ1000UN,315

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:0.89nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:43pF@25V

    连续漏极电流:480mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP 起订63个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP 起订63个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3402-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订139个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订139个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D8L-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D8L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:5.06nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:409pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDW-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22.6pF@15V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN33D8LDWQ-7 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:48pF@5V

    连续漏极电流:250mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.4Ω@250mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AO7401 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO7401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:5.06nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:409pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7400_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@15V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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