采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4607，"12+"：19940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40LN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN38EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：495pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：50000，"9999"：8959}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN49EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：50000，"9999"：8959}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN49EN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@30V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4607，"12+"：19940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40LN，135
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@25V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.4nC@10V
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输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.4nC@10V
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连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6402LVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：11.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：498pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
