品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8330TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€35W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:17A€56A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0503NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:22A€88A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5402T1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€39A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32334C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4645}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8330TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€35W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:17A€56A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32334C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP32320C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2529}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0503NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0503NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€36W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8330TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€35W
阈值电压:2.35V@25µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@25V
连续漏极电流:17A€56A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS32334C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€39A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC120N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:11A€39A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3042L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA432DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€19.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€18W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:945pF@15V
连续漏极电流:10.5A€16A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: