品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN33D8LDWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:48pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.4Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: