品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407AL
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":50500,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":69000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":69000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7401
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€29W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A€35A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1893}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7678-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€19.5A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4407A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: