品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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类型:P沟道
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栅极电荷:80nC@10V
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输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
阈值电压:1.2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:4.9A
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W€2.7W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2240pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:P沟道
导通电阻:31mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8487DB-T1-E1
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4.9A
功率:1.1W€2.7W
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输入电容:2240pF@15V
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