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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA88DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：45.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：45.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：HP8K22TB
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功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：27A€57A
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导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
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连续漏极电流：27A€57A
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导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
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功率：25W
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栅极电荷：12.5nC@4.5V
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功率：25W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
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导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA88DP-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：12.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6.7mΩ@10A，10V
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
功率：25W
连续漏极电流：45.5A
输入电容：985pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：1080pF@15V
类型：2个N通道（半桥）
连续漏极电流：27A€57A
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
功率：25W
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8K22TB
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
功率：25W
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@15V
连续漏极电流：27A€57A
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