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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订7个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订7个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订31个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订31个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€17W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":1992000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订1750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订1750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17382F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17382F4T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:347pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订30个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订30个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订8个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订8个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2Q1 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2Q1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17313Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZ200UNEYL 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZ200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMZB200UNEYL 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMZB200UNEYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€6.25W

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:89pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@1.4A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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