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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4485，"09+"：750，"11+"：25000，"12+"：20000，"13+"：16051}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4873NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：100，"09+"：4875，"10+"：34798，"11+"：27186，"12+"：3999，"13+"：1500，"17+"：6000，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4821NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@12V
连续漏极电流：8.8A€58.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：100，"09+"：4875，"10+"：34798，"11+"：27186，"12+"：3999，"13+"：1500，"17+"：6000，"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4821NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@12V
连续漏极电流：8.8A€58.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4485，"09+"：750，"11+"：25000，"12+"：20000，"13+"：16051}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4873NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4821NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@12V
连续漏极电流：8.8A€58.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4821NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@12V
连续漏极电流：8.8A€58.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4821NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@12V
连续漏极电流：8.8A€58.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4821NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@12V
连续漏极电流：8.8A€58.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4821NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€38.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@12V
连续漏极电流：8.8A€58.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：37.8A
功率：19W
输入电容：1290pF@15V
栅极电荷：16nC@4.5V
ECCN：EAR99
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
类型：N沟道
连续漏极电流：37.8A
功率：19W
输入电容：1290pF@15V
栅极电荷：16nC@4.5V
ECCN：EAR99
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA468DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@15V
连续漏极电流：37.8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
