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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：25A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7516
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€25W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1229pF@15V
连续漏极电流：20A€30A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：248}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8888
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1585pF@15V
连续漏极电流：13.5A€21A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：25A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：25A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：25A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3410DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：25A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0501NSIATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@15V
连续漏极电流：29A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21313C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：7A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
