采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4153DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：14.3A€19.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4153DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：14.3A€19.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4153DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€5.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：14.3A€19.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS04DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：50.5A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA62DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4460pF@15V
连续漏极电流：51.4A€80A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC020N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7200pF@15V
连续漏极电流：28A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7153DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：93nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
